KI-Illustration · Symbolbild
Infineon hat funktionsfähige Leistungshalbleiter auf 300-mm-Siliziumcarbid-Wafern gefertigt. Der am 9. November gemeldete Versuch fand im österreichischen Werk Villach unter realen Fertigungsbedingungen statt. Bestehende Anlagen für Silizium wurden dafür genutzt. Nach Unternehmensangaben ist dies die erste entsprechende Demonstration in der Branche.
Größere Scheiben sollen die Fertigung wirtschaftlicher machen
Siliziumcarbid, kurz SiC, eignet sich für die effiziente Umwandlung elektrischer Energie bei hohen Spannungen. Einsatzfelder sind beispielsweise Wechselrichter, Ladegeräte und industrielle Antriebe. Gegenüber einem 200-mm-Wafer ermöglicht die größere Scheibe laut Infineon etwa 2,3-mal so viele Chips. Für Dresden meldet das Unternehmen außerdem die erfolgreiche Erprobung seiner materialschonenden Cold-Split-Trenntechnik mit 300-mm-SiC.
Ein Termin für die Serienfertigung steht noch nicht fest. Infineon will den Hochlauf mit Kunden und Partnern abstimmen und die bestehende 200-mm-Roadmap weiterverfolgen. Den bearbeiteten Wafer zeigt das Unternehmen nach seiner Ankündigung vom 10. bis 13. November auf der electronica in München.
Unsere Einordnung: Mehr Fläche ist erst der Anfang
Mehr mögliche Chips pro Scheibe können die Kosten pro Bauteil senken. Dafür müssen jedoch genügend dieser Chips fehlerfrei sein und die einzelnen Prozessschritte wirtschaftlich funktionieren. Aus dem Größenverhältnis lässt sich daher weder eine entsprechende Preissenkung noch eine sofortige Verbesserung fertiger Ladegeräte ableiten.
Der Fortschritt liegt zunächst darin, einen größeren SiC-Wafer in einer Fabrikumgebung verarbeiten zu können. Daraus kann später eine breitere Versorgung mit Leistungshalbleitern entstehen. Für konkrete Geräte zählen zusätzlich Schaltungsdesign, Kühlung und die gesamte Auslegung des Netzteils. Die bereits angekündigte 300-mm-Fertigung für Galliumnitrid betrifft ein anderes Halbleitermaterial und einen weiter fortgeschrittenen Produktionsplan. Dessen Termin darf deshalb nicht auf SiC übertragen werden.
Quelle und Stand
Recherchiert am 10. November 2026. Infineons Mitteilung vom 9. November beschreibt eine Fertigungsdemonstration und die geplante Messepräsentation. Ein Startdatum für die SiC-Serienproduktion wird nicht genannt.
- Infineon: Funktionsfähige Leistungshalbleiter auf 300-mm-SiC-Wafern
- Messe München: Datum und Öffnungszeiten der electronica 2026
